中国研发新型存储芯片：性能快了100万倍 2018年04月11日 | 作者: Orange | 评论：0人 | 浏览:31896 相比三星、东芝、美光等公司，中国现在DRAM内存、NAND闪存技术上要落后多年，不过中国的科研人员也一直在追赶最新一代技术，前不久有报道称中国投资 130 亿元开建PCM相变内存，性能是普通存储芯片的 1000 倍，现在更厉害的来了——复旦...
